可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流,，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)的快速接通或切斷,；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，有體積小,、效率高,、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件,。目前可控硅在自動(dòng)控制、機(jī)電應(yīng)用,、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用,。可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,。螺旋式應(yīng)用較多?？煽毓韫ぷ髟斫馕隹煽毓杞Y(jié)構(gòu)原件可控硅有三個(gè)極----陽極（A）,、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié),，與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)?？煽毓钁?yīng)用時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓,。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件,，也稱作雙向晶閘管。湖南貿(mào)易西門康可控硅模塊值得推薦

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BG1,、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作。反過來,，E接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí),，可控硅也會(huì)導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過觸發(fā)信號(hào)（小觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),，所以它具有開關(guān)特性,，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化，此條件見表1應(yīng)用舉例：可控硅在實(shí)際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路,，概括起來有直流觸發(fā)電路,，交流觸發(fā)電路，相位觸發(fā)電路等等,。1,、直流觸發(fā)電路：如圖2是一個(gè)電視機(jī)常用的過壓保護(hù)電路，當(dāng)E+電壓過高時(shí)A點(diǎn)電壓也變高,，當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時(shí)DZ道通,，可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路，使保險(xiǎn)絲RJ熔斷,，從而起到過壓保護(hù)的作用,。2、相位觸發(fā)電路：相位觸發(fā)電路實(shí)際上是交流觸發(fā)電路的一種,，如圖3,，這個(gè)電路的方法是利用RC回路控制觸發(fā)信號(hào)的相位。當(dāng)R值較少時(shí),，RC時(shí)間常數(shù)較少,，觸發(fā)信號(hào)的相移A1較少,，因此負(fù)載獲得較大的電功率；當(dāng)R值較大時(shí),，RC時(shí)間常數(shù)較大,，觸發(fā)信號(hào)的相移A2較大。江蘇品質(zhì)西門康可控硅模塊工廠直銷小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A,。

可控硅模塊又叫晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,，它的主要成員有單向晶閘管,、雙向晶閘管、光控晶閘管,、逆導(dǎo)晶閘管,、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,，等等,。大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管,，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極：第1層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)可以看到,，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?，關(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性,。

1可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,，有三個(gè)電極，陽極a,，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的,。21、可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說明介紹：可控硅模塊應(yīng)用于控溫,、調(diào)光,、勵(lì)磁、電鍍,、電解,、充放電、電焊機(jī),、等離子拉弧,、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,，如工業(yè)、通訊,、等各類電氣控制,、電源等，根據(jù)還可通過可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接,，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流,、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能,，并可實(shí)現(xiàn)過流,、過壓、過溫,、缺相等保護(hù)功能。32,、可控硅模塊的控制方式：通過輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào),，通過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過程,。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表,、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法,；控制信號(hào)采用0～5V,，0～10V，4～20mA三種比較常用的控制形式,。43,、滿足可控硅模塊工作的必要條件：（1）+12V直流電源：可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。①可控硅模塊輸出電壓要求：+12V電源：12±,，紋波電壓小于20mv,。②可控硅模塊輸出電流要求：標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞，標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞1A,。5,。可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module),。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule),。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小,、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單,、互換性好,、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,，并因此得到長足發(fā)展,。可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,，有三個(gè)電極,，陽極a，陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的,。江蘇品質(zhì)西門康可控硅模塊工廠直銷

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,。湖南貿(mào)易西門康可控硅模塊值得推薦

答；可控硅有兩種叫法,，精細(xì)一點(diǎn)叫晶閘管,。常用的電力半導(dǎo)體器件有；普通可控硅（SCR）,、門極（GTO）關(guān)斷可控硅,、電力可控硅（GTR）、電力MoS場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MosFET）,、絕緣柵雙極型晶體管,、（lGBT）、Mos柵控可控硅等等,?？煽毓枘K；是根據(jù)不同的用途與技術(shù)要求,，將單向可控進(jìn)行組合,。兩只單向可控硅的串聯(lián)（一只的陽極A與另一只的陰極K相接）這樣就組成了一個(gè)可控硅模塊。常用于大功率三相橋式,、單相橋式整流電路之中,。兩只單相可控硅反向并聯(lián)（就是一只的陽極A與另一只的陰極K聯(lián)接，另一端點(diǎn)一只陰極k與一只陽極A相接）組成一只雙向可控硅模塊,。常用于大功率三相或單相交流調(diào)壓電路中,。例如軟啟動(dòng)器中改變電壓控制電動(dòng)機(jī)啟動(dòng)的電路中。無論是什么結(jié)構(gòu),，它們的控制端都是由陰極K與門極G有二根線引出來控制的,。下面簡(jiǎn)述一下GT0門極可關(guān)斷可控硅的組成,。見下面圖門極可關(guān)斷晶閘管簡(jiǎn)稱可關(guān)斷晶閘管，用GTO表示,。它是一種耐高電壓大電流全控器件,。它屬全控型三端器件。GT0可控硅的基本結(jié)構(gòu)與普通可控硅ScR類似,，它的三個(gè)極也是陽極A,、陰極k、門極G,。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)及符號(hào)如上圖所示,。其陽極伏安特性如下圖所示。當(dāng)陽極加有正電壓,、陰極加有負(fù)電壓時(shí),。湖南貿(mào)易西門康可控硅模塊值得推薦

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